බලය MOSFET ශරීර ඩයෝඩය හීලෑ කිරීම: පාඩු අවම කර ගැනීමට සහ කාර්යක්ෂමතාව වැඩි කිරීමට උපාය මාර්ග

ලෝහ-ඔක්සයිඩ්-අර්ධ සන්නායක ක්ෂේත්‍ර-ප්‍රයෝග ට්‍රාන්සිස්ටර (MOSFET) ඉලෙක්ට්‍රොනික කර්මාන්තයේ විප්ලවීය වෙනසක් ඇති කර ඇති අතර එය පුළුල් පරාසයක පරිපථවල සර්වසම්පූර්ණ සංරචක බවට පත් වී ඇත. ඔවුන්ගේ මූලික කාර්යය වන්නේ විද්‍යුත් සංඥා පාලනය කිරීම සහ විස්තාරණය කිරීම වන අතර, MOSFETs බොහෝ විට නොසලකා හරින ලද නමුත් තීරණාත්මක මූලද්‍රව්‍යයක් ද ඇත: අභ්‍යන්තර ශරීර ඩයෝඩය. මෙම බ්ලොග් සටහන MOSFET බොඩි ඩයෝඩ වල සංකීර්ණතා, ඒවායේ පාඩු අවම කර ගැනීමට සහ සමස්ත පරිපථ කාර්යක්ෂමතාව වැඩි කිරීමට උපාය මාර්ග ගවේෂණය කරයි.

MOSFET ශරීර ඩයෝඩ පාඩු අවබෝධ කර ගැනීම

MOSFET ව්‍යුහය තුළ ආවේනික පරපෝෂිත හන්දියක් වන බඳ ඩයෝඩය ඒක දිශානුගත ධාරා ප්‍රවාහයක් ප්‍රදර්ශනය කරයි, ධාරාව කාණුවේ සිට ප්‍රභවයට ගමන් කිරීමට ඉඩ සලසයි, නමුත් අනෙක් අතට නොවේ. එය වටිනා අරමුණු ඉටු කරන අතර, ශරීර ඩයෝඩය පරිපථ කාර්යක්ෂමතාව අඩු කරන බලශක්ති පාඩු හඳුන්වා දිය හැක.

සන්නායක පාඩු: MOSFET හි තත්වය තුළ, ශරීර ඩයෝඩය ප්‍රතිලෝම දිශාවට ධාරාව සන්නයනය කරයි, තාපය ජනනය කරයි සහ බලය විසුරුවා හරියි.

Switching Loss: MOSFET මාරු කිරීමේ සංක්‍රාන්ති අතරතුර, ප්‍රතිලෝම ප්‍රතිසාධන කාලය තුළ ශරීර ඩයෝඩය ධාරාව සන්නයනය කරයි, එය මාරුවීමේ පාඩු වලට තුඩු දෙයි.

MOSFET ශරීර ඩයෝඩ අලාභ අවම කිරීම සඳහා උපාය මාර්ග

නිසි MOSFETs තෝරා ගැනීම: පිළිවෙළින් සන්නයනය සහ මාරුවීම් පාඩු අවම කිරීම සඳහා අඩු ශරීර ඩයෝඩ ඉදිරි වෝල්ටීයතාවය සහ ප්‍රතිසාධන කාලය ප්‍රතිසාධනය සහිත MOSFET තෝරන්න.

ඩ්‍රයිව් සිග්නල් ප්‍රශස්ත කිරීම: ස්විචය කිරීමේදී ශරීර ඩයෝඩය සන්නයනය කරන කාලය අවම කිරීම සඳහා නිසි ගේට් ඩ්‍රයිව් සිග්නල් භාවිතා කරන්න, ස්විචින් පාඩු අවම කරන්න.

Snubber Circuits භාවිතා කිරීම: පරපෝෂිත ප්‍රේරණයන්හි ගබඩා කර ඇති ශක්තිය විසුරුවා හැරීමට සහ වෝල්ටීයතා ස්පයික් අඩු කිරීමට, මාරුවීම් පාඩු අවම කිරීමට ප්‍රතිරෝධක සහ ධාරිත්‍රක වලින් සමන්විත ස්නබර් පරිපථ ක්‍රියාත්මක කරන්න.

සමාන්තර ශරීර ඩයෝඩ: විශේෂයෙන්ම අධි-ධාරා යෙදුම්වල ධාරාව බෙදා ගැනීමට සහ බලය විසුරුවා හැරීම අඩු කිරීමට ශරීර ඩයෝඩය සමඟ බාහිර ඩයෝඩ සමාන්තර කිරීම සලකා බලන්න.

විකල්ප පරිපථ නිර්මාණය: සමහර අවස්ථාවල දී, තවදුරටත් පාඩු අවම කර ගැනීම සඳහා බඳ ඩයෝඩයේ සන්නායක මාර්ගයේ අවශ්‍යතාවය ඉවත් කරන විකල්ප පරිපථ ස්ථලක සලකා බැලිය හැක.

MOSFET ශරීර ඩයෝඩ පාඩු අවම කිරීමේ ප්‍රතිලාභ

වැඩිදියුණු කරන ලද කාර්යක්ෂමතාව: ශරීරයේ ඩයෝඩ පාඩු අඩු කිරීම සමස්ත පරිපථ කාර්යක්ෂමතාව වැඩි කිරීමට හේතු වේ, අඩු බලශක්ති පරිභෝජනය සහ බලශක්ති ඉතිරිකිරීම් බවට පරිවර්තනය වේ.

අඩු කරන ලද තාප උත්පාදනය: පාඩු අවම කිරීම MOSFET සහ අවට සංරචක තුළ තාප උත්පාදනය අඩු කරයි, තාප කාර්ය සාධනය වැඩි දියුණු කිරීම සහ සංරචක ආයු කාලය දීර්ඝ කරයි.

වැඩි දියුණු කළ විශ්වසනීයත්වය: අඩු මෙහෙයුම් උෂ්ණත්වය සහ සංරචක මත ආතතිය අඩු කිරීම වැඩිදියුණු කරන ලද පරිපථ විශ්වසනීයත්වය සහ දිගු ආයු කාලය සඳහා දායක වේ.

නිගමනය

MOSFET බොඩි ඩයෝඩ, බොහෝ විට නොසලකා හරින අතර, පරිපථයේ කාර්යක්ෂමතාවයට සහ ක්‍රියාකාරීත්වයට සැලකිය යුතු ලෙස බලපෑ හැකිය. ශරීරයේ ඩයෝඩ අලාභයේ මූලාශ්‍ර අවබෝධ කර ගැනීම සහ ඵලදායි අවම කිරීමේ උපාය මාර්ග ක්‍රියාත්මක කිරීම ඉහළ කාර්යක්‍ෂම, විශ්වාසදායක ඉලෙක්ට්‍රොනික පද්ධති සැලසුම් කිරීම සඳහා ඉතා වැදගත් වේ. මෙම ශිල්පීය ක්‍රම අනුගමනය කිරීමෙන්, ඉංජිනේරුවන්ට පරිපථ ක්‍රියාකාරිත්වය ප්‍රශස්ත කිරීමට, බලශක්ති පරිභෝජනය අවම කිරීමට සහ ඔවුන්ගේ ඉලෙක්ට්‍රොනික මෝස්තරවල ආයු කාලය දීර්ඝ කිරීමට හැකිය.